Każda technologia przyrządu półprzewodnikowego składa się z trzech elementów: i) wzrostu kryształu podłożowego, np., Si, SiC, GaAs, GaN, itp, ii) epitaksji, iii) procesingu.
Epitaksja to nakładanie na podłoże cienkich (nanometrowych i mikrometrowych) warstw o odpowiednim składzie. Na przykład, niebieska dioda laserowa wymaga nałożenia kilkunastu warstw AlGaN i InGaN domieszkowanych Si, albo Mg. Epitaksja jest skomplikowanym procesem, reaktory do tego celu kosztują po kilka milionów Euro, a parametrów do optymalizacji jest kilkadziesiąt, więc wyhodowanie dobrych epitaksjalnych struktur epitaksjalnych jest naprawdę wielką sztuką.
W roku 1988 Anglicy założyli w Cardiff firmę IQE mającą się zajmować epitaksją. Odwiedziłem ją w roku 2001 i wówczas firma kwitła. Miała kilkadziesiąt reaktorów do epitaksji (w Polsce w chwili obecnej jest ok. 10 takich reaktorów), a cena akcji wynosiła 750 funtów. Po naszej wizycie ceny akcji IQE zaczęła spadać, a dzisiaj wynosi raptem 5 funtów.
Oczywiście żartuję na temat naszego wpływu, ale to, co chciałem Czytelnikom uzmysłowić, to, jak jest trudno działać w obecnym high-tech’u.
Dlaczego? Ano, bo Chińczycy niemal każdy produkt robią lepiej i dwa razy taniej.
Michał Leszczyński
